Các tính năng § Dung sai đối với plasma tương đương với phương pháp CVD-K thấp § Dung sai máy thấp hơn so với phương pháp CVD-K thấp § Quy trình K thấp đơn giản [lớp phủ in kim, nung mềm, lưu hoá UV] § Tỉ lệ hằng số điện môi 2,0; 2,2; 2,4 Ứng dụng § Các màng điện môi cho các LSI.
Quy cách kỹ thuật
Hằng số điện môi | 2.0 | 2.2 | 2.4 | Môđun của Young （GPa） | 4 - 5 | 7 - 8 | 11 - 12 | Chỉ số khúc xạ | 1,22 | 1,26 | 1,33 | Nhiệt độ xử lý | 350ºC ủ + UV lưu hoá | Current Mật độ dòng rò rỉ (A/cm2＠１MV/cm) | < 3E-9 |
|