单片式等离子体 CVD 系统 CMD 系列
CMD 系列是用于沉积氧化硅和氮化硅薄膜的单片式 CVD 系统，使用硅烷（SiH4）或四乙氧基硅烷（TEOS）作为反应气体。高频（27.12 MHz）电源可实现高质量薄膜沉积。
特点
- 反应腔结构和供气系统的改进，使 TEOS（二氧化硅，SiO₂）薄膜的沉积速率能够长期稳定保持。
- 单元驱动系统可在高于传统工艺温度的条件下运行，并开发了新的真空传送机械手，以实现稳定的传输系统。
- 采用高频（27.12 MHz）电源，可产生高密度等离子体，从而实现高沉积速率。
- 可通过沉积条件等参数，对各基片进行单独管理。
- 加热型反应气体通道可实现全设备（至排气单元）的气相抽空。取消管路冷阱可减少副产物附着和维护时间。
应用
- 低温多晶硅（P-Si）、非晶硅（α-Si）TFT
技术参数
| CMD- 450BHT | CMD- 650HT | CMD- 950 | ||
| 基板尺寸 (mm) | 400X 500 Xt0.7 | 600 X 720 Xt0.7 | 730X920 Xt0.7-0.5 | |
| 腔体配置 | 1) 装载/卸载腔 | 2 | 2 | 2 |
| 2) 加热腔 | 1 | 1 | 1 | |
| 3) 反应腔 | 4（安装退火腔时为3） | 4（安装退火腔时为3） | 5（安装退火腔时为4） | |
| 4) 传送腔 | 1（七面式） | 1（七面式） | 1（八面式） | |
| 5)抽气系统 装载/卸载腔 反应腔 | 旋片泵＋机械增压泵 干式泵＋机械增压泵 | 旋片泵＋机械增压泵 干式泵＋机械增压泵 | 旋片泵＋机械增压泵 干式泵＋机械增压泵 | |
| 6) 基板传送装置 | 选配 | 选配 | 选配 | |
| 生产能力 | 65秒/片（标准ULVAC条件下，300nm单层SiN膜） | 65秒/片（标准ULVAC条件下，300nm单层SiN膜） | 75秒/片（标准ULVAC条件下，300nm单层SiN膜） | |
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