ULVAC Vietnam Representative Office

HỆ THỐNG CVD PLASMA ĐƠN DÒNG CMD

Dòng CMD là hệ thống CVD đơn chất để lắng đọng các màng oxit silic và nitride sử dụng SiH4 hoặc TEOS. Nguồn điện tần số cao (27,12 MHz) cho phép lắng đọng phim chất lượng cao.

ĐẶC ĐIỂM

  • Những cải tiến trong cấu trúc buồng phản ứng và hệ thống cung cấp khí cho phép tốc độ lắng đọng ổn định lâu dài cho màng TEOS (SiO2).
  • Hệ thống truyền động đơn vị có thể hoạt động ở nhiệt độ cao hơn nhiệt độ quy trình thông thường và một robot chuyển chân không mới đã được phát triển để cho phép một hệ thống truyền ổn định.
  • Sử dụng nguồn điện tần số cao (27,12 MHz) tạo ra plasma mật độ cao, cho tốc độ lắng đọng cao.
  • Các chất nền riêng lẻ có thể dễ dàng được quản lý bằng cách sử dụng các thông số như điều kiện lắng đọng.
  • Một đường dẫn khí phản ứng được làm nóng cho phép di tản tất cả các thiết bị (lên đến bộ phận xả) ở trạng thái khí. Loại bỏ các bẫy đường ống làm giảm độ bám dính của sản phẩm phụ và thời gian bảo trì.

ỨNG DỤNG

  • Nhiệt độ thấp TFT P-Si, α-Si

BẢNG TIÊU CHUẨN

 CMD- 450BHTCMD- 650HTCMD- 950
Substrate size (mm)400X 500 Xt0.7600 X 720 Xt0.7730X920 Xt0.7-0.5
Chamber configuration1) Loading/ unloading chambers222
2) Heating chambers111
3) Reaction chambers4 (3 if annealing chamber is mounted)4 (3 if annealing chamber is mounted)5 (4 if annealing chamber is mounted)
4) Transfer chambers1 (7-sided)1 (7-sided)1 (8-sided)
5) Evacuation system Loading/ unloading chamber Reaction chambersRotary + mechanical booster Dry + mechanical boosterRotary + mechanical booster Dry + mechanical boosterRotary + mechanical booster Dry + mechanical booster
6) Substrate transfer unitOptionOptionOption
Productivity65 seconds/ substrate (for single- layer 300 nm SiN film under standard ULVAC conditions)65 seconds/ substrate (for single- layer 300 nm SiN film under standard ULVAC conditions)75 seconds/ substrate (for single- layer 300 nm SiN film under standard ULVAC conditions)