簇式 PE-CVD 系统 CME-200E/400
CME-200E/400 是 PE-CVD 系列量产系统中最适合用于沉积硅薄膜的机型，可应用于绝缘层或阻挡层。
特点
- 采用高频（27.12 MHz）电源的高密度等离子体工艺。
- 使用硅烷（SiH4）前驱体可沉积高质量薄膜：SiO2、SiNx、SiON、a-Si，也支持 TEOS 工艺用于 SiO2 薄膜沉积。
- 采用 NF3+Ar 等离子体进行腔体清洗。
- 支持用于有机 EL 的低温沉积加热器。
- 基板尺寸：CME-200E 最大至 200×200 mm，CME-400 最大至 300×400 mm。
应用
- 功率器件
- LED、LD、高速器件
- 有机发光二极管（OLED）
- 太阳能电池
- 微机电系统（MEMS）
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