CME-200E/400 là model phù hợp nhất trong hệ thống sản xuất dòng PE-CVD để tạo màng Si với ứng dụng làm lớp cách điện hoặc lớp chắn.
ĐẶC ĐIỂM
Quy trình plasma mật độ cao với nguồn điện tần số cao (27,12 MHz).
Màng chất lượng cao sử dụng tiền chất SiH4: SiO2, SiNx, SiON, a-Si, cũng cho quá trình TEOS cho màng SiO2.
Làm sạch buồng bằng huyết tương NF3 + Ar.
Hỗ trợ bộ gia nhiệt để lắng đọng EL hữu cơ ở nhiệt độ thấp.
Kích thước bề mặt lên đến 200 x 200mm cho CME-200E, Max. 300 x 400mm đối với CME-400.
ỨNG DỤNG
Thiết bị điện
LED, LD, thiết bị tốc độ cao
LED hữu cơ
Pin mặt trời
MEMS
We use cookies on our website to give you the most relevant experience by remembering your preferences and repeat visits. By clicking “Accept All”, you consent to the use of ALL the cookies. However, you may visit "Cookie Settings" to provide a controlled consent.
This website uses cookies to improve your experience while you navigate through the website. Out of these, the cookies that are categorized as necessary are stored on your browser as they are essential for the working of basic functionalities of the website. We also use third-party cookies that help us analyze and understand how you use this website. These cookies will be stored in your browser only with your consent. You also have the option to opt-out of these cookies. But opting out of some of these cookies may affect your browsing experience.