用于先进电子器件的簇式组合镀膜与刻蚀模块系统 uGmni-200、uGmni-300

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uGmni 可在同一传送核心上配置多种不同的工艺模块，通过尽可能采用通用零部件来减少备件数量，同时各模块使用相同的操作面板，以提升操作便利性。这种设计大幅提高了先进电子制造过程的生产效率。

特点

可配置多种类型的溅射、刻蚀、灰化（Asher）和等离子体CVD（PE-CVD）模块。
以上所有模块均由ULVAC制造。
可适用于最大Φ300mm的晶圆。

应用

（举例）

功率器件　　　种子层与金属层溅射
MEMS传感器　　PZT溅射与刻蚀
光学器件　　　VCSEL刻蚀
封装　　　　　去胶灰化（Descum Ashing）
通信　　　　　绝缘膜PE-CVD及刻蚀

技术参数

＊不仅限于以下内容，如有其他需求请与我们联系。以下数量取决于规格。

	极限压力	台面温度晶圆内均匀性（仅供参考）		用途	等离子源
溅射	<6.7E-5Pa	冷态（冷却能力待定）～700℃	±1～5%	金属膜、介质膜、绝缘膜	DC
					脉冲DC
					RF
刻蚀	<1.0E-3Pa	-20～200℃	<±5%	金属膜、介质膜、绝缘膜、硅类材料	CCP
					ISM（超磁控感应式，ULVAC专利）
					NLD（中性环放电，ULVAC专利）
灰化/去胶	<0.7Pa	50～250℃	±5%	去胶、去涂抹、牺牲层去除、表面处理、去除光刻胶与PI刻蚀残留	微波
		20～80℃			微波+CCP
PE-CVD	<2Pa	60～400℃	<±1%	绝缘膜（SiNx、SiOx）	阳极耦合
					双频

系统构成

可配置多种类型的模块（如下示例）

gemini_core_e.png Combined deposition and etch modules’ system uGmni-200, 300 — Combined deposition and etch modules’ system uGmni-200, 300

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