单片式等离子体 CVD 系统 CMD 系列

CMD Series Hệ thống CVD
CMD 系列是用于沉积氧化硅和氮化硅薄膜的单片式 CVD 系统，使用硅烷（SiH4）或四乙氧基硅烷（TEOS）作为反应气体。高频（27.12 MHz）电源可实现高质量薄膜沉积。

特点

  • 反应腔结构和供气系统的改进，使 TEOS（二氧化硅，SiO₂）薄膜的沉积速率能够长期稳定保持。
  • 单元驱动系统可在高于传统工艺温度的条件下运行，并开发了新的真空传送机械手，以实现稳定的传输系统。
  • 采用高频（27.12 MHz）电源，可产生高密度等离子体，从而实现高沉积速率。
  • 可通过沉积条件等参数，对各基片进行单独管理。
  • 加热型反应气体通道可实现全设备（至排气单元）的气相抽空。取消管路冷阱可减少副产物附着和维护时间。

应用

  • 低温多晶硅（P-Si）、非晶硅（α-Si）TFT

技术参数

 CMD- 450BHTCMD- 650HTCMD- 950
基板尺寸 (mm)400X 500 Xt0.7600 X 720 Xt0.7730X920 Xt0.7-0.5
腔体配置1) 装载/卸载腔222
2) 加热腔111
3) 反应腔4（安装退火腔时为3）4（安装退火腔时为3）5（安装退火腔时为4）
4) 传送腔1（七面式）1（七面式）1（八面式）
5)抽气系统 装载/卸载腔 反应腔旋片泵＋机械增压泵 干式泵＋机械增压泵旋片泵＋机械增压泵 干式泵＋机械增压泵旋片泵＋机械增压泵 干式泵＋机械增压泵
6) 基板传送装置 选配 选配 选配
生产能力65秒/片（标准ULVAC条件下，300nm单层SiN膜）65秒/片（标准ULVAC条件下，300nm单层SiN膜）75秒/片（标准ULVAC条件下，300nm单层SiN膜）

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