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单片式等离子体 CVD 系统 CMD 系列
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化学气相沉积系统
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单片式等离子体 CVD 系统 CMD 系列
CMD 系列是用于沉积氧化硅和氮化硅薄膜的单片式 CVD 系统,使用硅烷(SiH4)或四乙氧基硅烷(TEOS)作为反应气体。高频(27.12 MHz)电源可实现高质量薄膜沉积。
特点
反应腔结构和供气系统的改进,使 TEOS(二氧化硅,SiO₂)薄膜的沉积速率能够长期稳定保持。
单元驱动系统可在高于传统工艺温度的条件下运行,并开发了新的真空传送机械手,以实现稳定的传输系统。
采用高频(27.12 MHz)电源,可产生高密度等离子体,从而实现高沉积速率。
可通过沉积条件等参数,对各基片进行单独管理。
加热型反应气体通道可实现全设备(至排气单元)的气相抽空。取消管路冷阱可减少副产物附着和维护时间。
应用
低温多晶硅(P-Si)、非晶硅(α-Si)TFT
技术参数
CMD- 450BHT
CMD- 650HT
CMD- 950
基板尺寸 (mm)
400X 500 Xt0.7
600 X 720 Xt0.7
730X920 Xt0.7-0.5
腔体配置
1) 装载/卸载腔
2
2
2
2) 加热腔
1
1
1
3) 反应腔
4(安装退火腔时为3)
4(安装退火腔时为3)
5(安装退火腔时为4)
4) 传送腔
1(七面式)
1(七面式)
1(八面式)
5)抽气系统 装载/卸载腔 反应腔
旋片泵+机械增压泵 干式泵+机械增压泵
旋片泵+机械增压泵 干式泵+机械增压泵
旋片泵+机械增压泵 干式泵+机械增压泵
6) 基板传送装置
选配
选配
选配
生产能力
65秒/片(标准ULVAC条件下,300nm单层SiN膜)
65秒/片(标准ULVAC条件下,300nm单层SiN膜)
75秒/片(标准ULVAC条件下,300nm单层SiN膜)