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簇式 PE-CVD 系统 CME-200E/400
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簇式 PE-CVD 系统 CME-200E/400
CME-200E/400 是 PE-CVD 系列量产系统中最适合用于沉积硅薄膜的机型,可应用于绝缘层或阻挡层。
特点
采用高频(27.12 MHz)电源的高密度等离子体工艺。
使用硅烷(SiH4)前驱体可沉积高质量薄膜:SiO2、SiNx、SiON、a-Si,也支持 TEOS 工艺用于 SiO2 薄膜沉积。
采用 NF3+Ar 等离子体进行腔体清洗。
支持用于有机 EL 的低温沉积加热器。
基板尺寸:CME-200E 最大至 200×200 mm,CME-400 最大至 300×400 mm。
应用
功率器件
LED、LD、高速器件
有机发光二极管(OLED)
太阳能电池
微机电系统(MEMS)