ULVAC Vietnam Representative Office

ulvac logo

用于先进电子器件的簇式组合镀膜与刻蚀模块系统 uGmni-200、uGmni-300

HỆ THỐNG PHÚN XẠ LOẠI CỤM uGmni-200, 300
uGmni 可在同一传送核心上配置多种不同的工艺模块,通过尽可能采用通用零部件来减少备件数量,同时各模块使用相同的操作面板,以提升操作便利性。这种设计大幅提高了先进电子制造过程的生产效率。

特点

  • 可配置多种类型的溅射、刻蚀、灰化(Asher)和等离子体CVD(PE-CVD)模块。
  • 以上所有模块均由ULVAC制造。
  • 可适用于最大Φ300mm的晶圆。

应用

(举例)

  • 功率器件   种子层与金属层溅射
  • MEMS传感器  PZT溅射与刻蚀
  • 光学器件   VCSEL刻蚀
  • 封装     去胶灰化(Descum Ashing)
  • 通信     绝缘膜PE-CVD及刻蚀

技术参数

*不仅限于以下内容,如有其他需求请与我们联系。以下数量取决于规格。

 极限压力台面温度晶圆内均匀性(仅供参考) 用途等离子源
溅射<6.7E-5Pa冷态(冷却能力待定)~700℃±1~5%金属膜、介质膜、绝缘膜DC
脉冲DC
RF
刻蚀<1.0E-3Pa-20~200℃<±5%金属膜、介质膜、绝缘膜、硅类材料CCP
ISM(超磁控感应式,ULVAC专利)
NLD(中性环放电,ULVAC专利)
灰化/去胶<0.7Pa50~250℃±5%去胶、去涂抹、牺牲层去除、表面处理、去除光刻胶与PI刻蚀残留微波
20~80℃微波+CCP
PE-CVD<2Pa60~400℃<±1%绝缘膜(SiNx、SiOx)阳极耦合
双频

系统构成

可配置多种类型的模块(如下示例)

gemini_core_e.png Combined deposition and etch modules’ system uGmni-200, 300
Combined deposition and etch modules’ system uGmni-200, 300