ULVAC Vietnam Representative Office
RISE™-300 네이티브 산화막 제거용 배치식 시스템
첨단 반도체의 협폭·심층 콘택트 구조에서 네이티브 산화막을 제거하기 위한 배치식 화학 건식 세정 시스템
특징
- 저손상 공정: Remote Plasma 및 저온 공정 적용
- 높은 처리량 및 낮은 CoO(Cost of Ownership)
- 50매 웨이퍼 배치 처리
- 높은 식각 균일도: 배치당 5% 이하
- 유지보수가 용이한 구조
- 클러스터형 장비 대비 작은 설치 면적
- Self-Aligned Contact 저저항 구현: 기존 습식 공정 대비 접촉 저항 50% 이상 감소
- 최소화된 장비 설치 면적
응용 분야
- SAC(Self-Aligned Contact) 형성을 위한 사전 세정
- 커패시터 형성을 위한 사전 세정
- 에피택셜 성장(Epitaxial Growth)을 위한 사전 세정
사양
| Model | RISETM-300 | |
| Plasma Source | Microwave Power Supply | |
| Configuration | EFEM + LL + PM | |
| Wafer Size | 300mm diameter | |
| Wafer Stage | Ceramic Board (50 wafers/batch) | |
| Pumping System | Etching Module:Mechanical booster pump +DRP | |
| Control System | FAPC+TFT Touch Panel | |
| Gas Supply | 3 lines | |
| Application | Pretreatment for SAC, Capacitor, Epitaxial growth | |
