ULVAC Vietnam Representative Office

HỆ THỐNG MẺ ĐỂ LOẠI BỎ OXIDE TỰ NHIÊN RISETM-300

Loại thiết bị vệ sinh khô bằng hóa chất theo lô để loại bỏ oxit bản địa ở các dạng tiếp xúc hẹp và sâu của chất bán dẫn tiên tiến.

Đặc điểm

  • Không hư hại (quá trình plasma từ xa và nhiệt độ thấp)
  • Thông lượng cao và CoO thấp
  • Chế biến theo lô 50 tấm wafer
  • Độ đồng đều cao của khắc (5% hoặc ít hơn mỗi mẻ)
  • Bảo trì dễ dàng
  • Dấu chân nhỏ so với thiết bị loại cụm
  • Điện trở tiếp xúc tự căn chỉnh thấp hơn 50% so với quy trình ướt hiện tại
  • Bản in chân nhỏ nhất

ứng dụng

  • Làm sạch trước để hình thành tiếp điểm tự căn chỉnh (SAC)
  • Làm sạch trước để hình thành tụ điện
  • Làm sạch trước để tăng trưởng biểu mô

bảng tiêu chuẩn

ModelRISETM-300
Plasma SourceMicrowave Power Supply
ConfigurationEFEM + LL + PM
Wafer Size300mm diameter
Wafer StageCeramic Board (50 wafers/batch)
Pumping SystemEtching Module:Mechanical booster pump +DRP
Control SystemFAPC+TFT Touch Panel
Gas Supply3 lines
ApplicationPretreatment for SAC, Capacitor, Epitaxial growth