ULVAC Vietnam Representative Office
CMD 시리즈 단일 웨이퍼형 플라즈마 CVD 시스템
CMD 시리즈는 SiH₄ 또는 TEOS를 사용하여 실리콘 산화막 및 질화막을 증착하는 단일 웨이퍼형 CVD 시스템입니다. 27.12 MHz 고주파 전원을 적용하여 고품질 박막 증착이 가능합니다.
특징
- 안정적인 TEOS(SiO₂) 증착: 반응 챔버 구조와 가스 공급 시스템을 개선하여 장기간 안정적인 증착 속도를 구현
- 고온 대응 트랜스퍼 시스템: 일반적인 공정 온도보다 높은 온도에서도 구동 가능한 트랜스퍼 유닛과 새로운 진공 트랜스퍼 로봇을 적용하여 안정적인 웨이퍼 이송 실현
- 고밀도 플라즈마: 27.12 MHz 고주파 전원을 사용하여 고밀도 플라즈마를 생성하고 높은 증착 속도 구현
- 개별 기판 관리: 증착 조건 등의 파라미터를 이용하여 개별 기판별 공정 관리 가능
- 가열 반응 가스 라인: 배기부까지 모든 장치를 기체 상태로 배기할 수 있도록 반응 가스 라인을 가열
- 유지보수성 향상: 배관 트랩을 제거하여 부산물의 부착을 줄이고 유지보수 시간 단축
응용 분야
- 저온 공정 TFT용 P-Si 및 α-Si
사양
| CMD- 450BHT | CMD- 650HT | CMD- 950 | ||
| Substrate size (mm) | 400X 500 Xt0.7 | 600 X 720 Xt0.7 | 730X920 Xt0.7-0.5 | |
| Chamber configuration | 1) Loading/ unloading chambers | 2 | 2 | 2 |
| 2) Heating chambers | 1 | 1 | 1 | |
| 3) Reaction chambers | 4 (3 if annealing chamber is mounted) | 4 (3 if annealing chamber is mounted) | 5 (4 if annealing chamber is mounted) | |
| 4) Transfer chambers | 1 (7-sided) | 1 (7-sided) | 1 (8-sided) | |
| 5) Evacuation system Loading/ unloading chamber Reaction chambers | Rotary + mechanical booster Dry + mechanical booster | Rotary + mechanical booster Dry + mechanical booster | Rotary + mechanical booster Dry + mechanical booster | |
| 6) Substrate transfer unit | Option | Option | Option | |
| Productivity | 65 seconds/ substrate (for single- layer 300 nm SiN film under standard ULVAC conditions) | 65 seconds/ substrate (for single- layer 300 nm SiN film under standard ULVAC conditions) | 75 seconds/ substrate (for single- layer 300 nm SiN film under standard ULVAC conditions) | |
