ULVAC Vietnam Representative Office
에칭 모듈 및 UGMNI 구성요소 통합 시스템
uGmni는 하나의 공통 이송 코어에 다양한 프로세스 모듈을 구성하고, 가능한 한 동일한 공용 부품을 최대한 활용하여 교체 부품을 최소화할 수 있습니다. 또한 각 프로세스 모듈 간 동일한 제어 패널을 사용함으로써 조작 편의성을 향상시킵니다. 이를 통해 첨단 전자 소자 생산 공정의 효율성을 더욱 향상시킬 수 있습니다.
특징
- Sputter, Etcher, Asher 및 PE-CVD 등 다양한 프로세스 모듈을 구성할 수 있습니다.
- 모든 프로세스 모듈은 ULVAC에서 자체 개발 및 제작합니다.
- 최대 Φ300 mm 웨이퍼에 대응할 수 있습니다.
적용 분야
적용 사례（예시）
사양
※ 상기 항목뿐만 아니라 기타 요구사항이 있는 경우에도 문의해 주시기 바랍니다. 아래 수치는 표준 사양을 기준으로 합니다.
| Ultimate pressure | Stage temp. | Within wafer unif. （Ref. only） | Use | Plasma source | |
| Sputter | <6.7E-5Pa | Cold(Cooling ability T.B.D)～700℃ | ±1～5% | Metal, dielectric film, insulated film | DC |
| Pulse DC | |||||
| RF | |||||
| Etcher | <1.0E-3Pa | -20～200℃ | <±5% | Metal, dielectric film, insulated film, Si types | CCP |
| ISM (Inductively Super Magnetron、ULVAC Patent) | |||||
| NLD (Neutral Loop Discharge、ULVAC Patent） | |||||
| Asher | <0.7Pa | 50～250℃ | ±5% | Descum, desmear, removing sacrified layer, surface treatment, removing PR and PI etch | Microwave |
| 20～80℃ | Microwave+CCP | ||||
| PE-CVD | <2Pa | 60～400℃ | <±1% | Insulated film（SiNx,SiOx) | Anode coupling |
| Dual Frequency |
