ULVAC Vietnam Representative Office
エッチングモジュールおよびUGMNIユニット一体型システム
uGMNIは、共通の搬送コア上にさまざまなプロセスモジュールを搭載できるモジュールコンセプトを採用しています。部品を可能な限り共通化することで交換部品を最小限に抑えるとともに、異なるモジュール間でも共通の操作パネルを採用することで操作性を向上させています。これにより、先端電子デバイスの製造プロセスにおける生産効率をさらに向上させます。
特長
- スパッタ、エッチャー、アッシャー、PE-CVDなど、各種プロセスモジュールを搭載可能です。
- これらすべてのプロセスモジュールは、ULVACが提供しています。
- 最大φ300 mmウェーハに対応しています。
用途
（適用例）
- 電子デバイス シード層・金属膜スパッタリング
- MEMSセンサー PZTスパッタリング・エッチング
- 光デバイス VCSELエッチング
- 半導体パッケージ デスカムアッシング
- 通信デバイス 絶縁膜PE-CVD・エッチング
仕様
※下記以外のご要望につきましても、お気軽にお問い合わせください。なお、下記の仕様は標準仕様に基づいています。
| Ultimate pressure | Stage temp. | Within wafer unif. （Ref. only） | Use | Plasma source | |
| Sputter | <6.7E-5Pa | Cold(Cooling ability T.B.D)～700℃ | ±1～5% | Metal, dielectric film, insulated film | DC |
| Pulse DC | |||||
| RF | |||||
| Etcher | <1.0E-3Pa | -20～200℃ | <±5% | Metal, dielectric film, insulated film, Si types | CCP |
| ISM (Inductively Super Magnetron、ULVAC Patent) | |||||
| NLD (Neutral Loop Discharge、ULVAC Patent） | |||||
| Asher | <0.7Pa | 50～250℃ | ±5% | Descum, desmear, removing sacrified layer, surface treatment, removing PR and PI etch | Microwave |
| 20～80℃ | Microwave+CCP | ||||
| PE-CVD | <2Pa | 60～400℃ | <±1% | Insulated film（SiNx,SiOx) | Anode coupling |
| Dual Frequency |
