加载锁式等离子体 CVD 系统 CC-200/400
CC-200/400 是一款结构紧凑、操作简便的系统，适用于研发和生产。
特点
- 27.12MHz 的高密度等离子体工艺。
- 支持使用 SiH4（SiO2、SiNx、SiON、a-Si）及 TEOS（SiO2）进行沉积。
- 支持使用 CF4+O2 等离子体进行腔体清洗。
- 支持用于有机 EL 的低温沉积加热器。
- 支持多种基板尺寸。
- 可通过真空箱与 C 系列设备进行间接顺序处理（溅射：CS-200，蒸镀：CV-200）。
应用
- 功率器件
- LED、LD 及高速器件等化合物相关器件
- 用于研发的有机 EL 系统
- 用于研发的太阳能电池系统
- 微机电系统（MEMS）
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