Hệ thống Plasma-CVD loại khóa tải CC-200/400 là một hệ thống nhỏ gọn và dễ sử dụng để sử dụng và sản xuất R&D.
ĐẶC ĐIỂM
Quy trình plasma mật độ cao trên 27,12MHz
Hỗ trợ lắng đọng SiH4 (SiO2, SiNx, SiON, a-Si) và TEOS (SiO2).
Hỗ trợ làm sạch buồng bằng plasma CF4 + O2.
Hỗ trợ bộ gia nhiệt để lắng đọng EL hữu cơ ở nhiệt độ thấp.
Hỗ trợ các kích thước chất nền khác nhau.
Xử lý tuần tự gián tiếp hỗ trợ hộp chân không trong dòng C (Sputter: CS-200, Bay hơi: CV-200).
ỨNG DỤNG
Thiết bị nguồn
Các thiết bị liên quan đến hợp chất của LED, LD và các thiết bị tốc độ cao
Hệ thống EL hữu cơ để sử dụng cho R & D
Hệ thống pin năng lượng mặt trời để sử dụng cho R&D
MEMS
We use cookies on our website to give you the most relevant experience by remembering your preferences and repeat visits. By clicking “Accept All”, you consent to the use of ALL the cookies. However, you may visit "Cookie Settings" to provide a controlled consent.
This website uses cookies to improve your experience while you navigate through the website. Out of these, the cookies that are categorized as necessary are stored on your browser as they are essential for the working of basic functionalities of the website. We also use third-party cookies that help us analyze and understand how you use this website. These cookies will be stored in your browser only with your consent. You also have the option to opt-out of these cookies. But opting out of some of these cookies may affect your browsing experience.