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非易失性材料刻蚀设备 ULHITETM NE-7800H

ULHITETMNE-7800H ETCHING
ULHITETM NE-7800H 是一款集群式、低压高密度等离子刻蚀系统,适用于 NVM 材料(难刻蚀材料,用于 FeRAM、MRAM、ReRAM、CBRAM、PCRAM 等)、介电材料、贵金属以及磁性层。

特点

  • 高温(最高至 450°C)基板电极。

  • 降低 RF 输入窗口上介电薄膜沉积的机制。

  • 高刻蚀速率。

  • Pt/Ir/磁性薄膜刻蚀的优异稳定性。

  • ISM™(感应式超磁控)高密度等离子源。

应用

  • FeRAM、MRAM、ReRAM、CBRAM、PCRAM 等。

技术参数

项目规格
系统配置盒式腔体/自动上料机
传送腔
刻蚀腔
预热腔(选配)
灰化腔(选配)
支持基板尺寸6/8 英寸
薄膜类型铁电/高k 介电材料、磁性材料、电极材料、其他
基板内表面均匀性最大 ±5%
等离子源 ISM(带磁场 ICP)
基板电极温度 最高 400°C ±5°C
防沉积措施法拉第屏蔽机构、顶板加热机构、沉积屏蔽加热机构等
工艺配方编辑多步骤类型