ULVAC

CÔNG CỤ VẬT LIỆU ETCHING VẬT KHÔNG ULHITETM NE-7800H

ULHITETM NE-7800H là hệ thốngEtching kiểu cụm của plasma áp suất thấp và mật độ cao cho vật liệu NVM (vật liệu khắc khó, được sử dụng cho FeRAM, MRAM, ReRAM, CBRAM, PCRAM, v.v.), điện môi, kim loại quý và Lớp từ tính.

Đặc điểm

  • Điện cực đế nhiệt độ cao (lên đến 450ºC).
  • Cơ chế giảm lắng đọng màng điện môi trên cửa sổ đầu vào RF
  • Tỷ lệ ăn mòn cao
  • Tính ổn định vượt trội của quá trình khắc màng Pt/Ir/từ tính
  • Nguồn plasma mật độ cao ISMTM (Super Magnetron cảm ứng).

ứng dụng

  • FeRAM, MRAM, ReRAM, CBRAM, PcRAM, etc.

bảng tiêu chuẩn

ItemSpecification
System configurationCassette chamber/auto-loader
Transfer chamber
Etching chamber
Preheating chamber (option)
Ashing chamber (option)
Supported substrate sizes6/8 inches
Film typesFerroelectric/high-k materials, magnetic materials, electrode materials, other
Uniformity within substrate surface±5% max.
Plasma sourceISM (ICP with magnetic field)
Substarate electrode temperatureUp to 400ºC±5ºC
Anti-deposition measuresFaraday shield mechanism, Top plate heating mechanism, Deposition shield heating mechanism, etc
Process recipe editingMulti-step type