光电器件、MEMS 用干式刻蚀系统 NLD-5700
采用 ULVAC 原创 NLD（中性环放电）等离子源的量产型干式刻蚀系统。
特点
- ICP 类型刻蚀腔体之外，也可选择 CCP 或灰化腔体作为第二腔体。
- 低工艺压力、高密度等离子体及低电子温度，非常适用于石英玻璃、Pyrex、LN、LT 等材料。
- 具备优异的轮廓控制和表面粗糙度表现。
- 在使用光刻胶（PR）时可实现出色的深 SiO₂ 刻蚀性能。
- 石英刻蚀速率可达 >1 μm/min，Pyrex 可达 >0.8 μm/min。
- 具备卓越的均匀性控制能力。
应用
- 光学器件（波导、放大器、光开关等）、微透镜、光子学、微全分析系统（μ-TAS）等。
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