去除本征氧化膜的批处理系统 RISETM-300
用于先进半导体中窄而深接触结构的本征氧化膜去除的化学干式清洗批量式设备。
特点
- 无损伤处理（远程等离子 + 低温工艺）
- 高产能、低成本（CoO）
- 可批量处理 50 片晶圆
- 刻蚀均匀性优异（每批次 ≤5%）
- 维护简便
- 与集群式设备相比，占地面积更小
- 相比湿法工艺，自对准接触电阻降低 50%
占地面积最小
应用
- 自对准接触（SAC）形成前清洗
- 电容结构形成前清洗
- 外延生长前清洗
技术参数
| 型号 | RISETM-300 | |
| 等离子源 | 微波电源 | |
| 配置 | EFEM + LL + PM | |
| 晶圆尺寸 | 300mm 直径 | |
| 晶圆台 | 陶瓷板（50 片/批） | |
| 真空抽气系统 | 刻蚀模组：机械增压泵 + DRP | |
| 控制系统 | FAPC + TFT 触控面板 | |
| 供气 | 3 路 | |
| 适用工艺 | SAC 预处理、电容结构、外延生长 | |
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