ULVAC Vietnam Representative Office
CMDシリーズ 枚葉式プラズマCVDシステム
CMDシリーズは、SiH₄またはTEOSを用いてシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜を成膜する枚葉式CVDシステムです。高周波電源（27.12MHz）により、高品質な薄膜形成を実現します。
特長
- 反応チャンバー構造およびガス供給システムの改良により、TEOS（SiO₂）膜において長期間安定した成膜速度を実現。
- ユニット駆動システムは、従来のプロセス温度を超える高温での動作が可能であり、安定した搬送を実現する新開発の真空搬送ロボットを搭載。
- 高周波電源（27.12MHz）の採用により、高密度プラズマを生成し、高い成膜速度を実現。
- 成膜条件などのパラメータを用いて、個々の基板を容易に管理可能。
- 加熱された反応ガス流路により、排気部まで含む装置全体をガス状態で排気可能。配管トラップを排除することで、副生成物の付着を低減し、メンテナンス時間を短縮。
用途
- 低温TFT（P-Si、α-Si）
仕様
| CMD- 450BHT | CMD- 650HT | CMD- 950 | ||
| Substrate size (mm) | 400X 500 Xt0.7 | 600 X 720 Xt0.7 | 730X920 Xt0.7-0.5 | |
| Chamber configuration | 1) Loading/ unloading chambers | 2 | 2 | 2 |
| 2) Heating chambers | 1 | 1 | 1 | |
| 3) Reaction chambers | 4 (3 if annealing chamber is mounted) | 4 (3 if annealing chamber is mounted) | 5 (4 if annealing chamber is mounted) | |
| 4) Transfer chambers | 1 (7-sided) | 1 (7-sided) | 1 (8-sided) | |
| 5) Evacuation system Loading/ unloading chamber Reaction chambers | Rotary + mechanical booster Dry + mechanical booster | Rotary + mechanical booster Dry + mechanical booster | Rotary + mechanical booster Dry + mechanical booster | |
| 6) Substrate transfer unit | Option | Option | Option | |
| Productivity | 65 seconds/ substrate (for single- layer 300 nm SiN film under standard ULVAC conditions) | 65 seconds/ substrate (for single- layer 300 nm SiN film under standard ULVAC conditions) | 75 seconds/ substrate (for single- layer 300 nm SiN film under standard ULVAC conditions) | |
