ULVAC Vietnam Representative Office
탄소나노튜브(CNT) 개발용 CVD 시험 시스템 CN-CVD-400
ULVAC은 세계 최초로 기판 위에 탄소나노튜브(CNT)를 수직 방향으로 선택적으로 성장시키는 기술을 개발했습니다. 마이크로파 플라즈마 CVD 기술을 활용하여 고순도 탄소나노튜브의 양산에 성공했으며, 연료전지 및 수소 저장을 비롯한 다양한 분야에서 획기적인 성능 향상이 기대됩니다.
특징
- 기판 위 탄소나노튜브(CNT)의 수직 성장 가능
- 유리 기판의 특정 금속 영역에만 CNT를 직접 선택적으로 성장 가능
- 성장 공정 중 기판 온도: 약 600°C
사양
| CN-CVD-400 | ||
| Maximum substrate size | 4 inches in diameter | |
| Footprint | 3.5m × 1.7m × 2.1m (not including maintenance space) | |
| AC power supply | 200V ±10% | |
| Duct tie-in | NW25KF | |
| Attenuating gas | Nitrogen >10 SLM | |
| Process gas tie-in | VCR 6.35mm | |
