碳纳米管生长实验系统 CN-CVD-400
ULVAC 是全球首家开发出在基板上垂直且选择性生长碳纳米管技术的企业。通过采用微波等离子体 CVD 技术，ULVAC 成功实现了高纯度碳纳米管的量产。在包括电池和氢储存等诸多领域，都有望实现性能的飞跃提升。
特点
- 可在基板上垂直生长碳纳米管
- 可在玻璃基板的特定金属部位直接且选择性地生长碳纳米管
- 生长过程中基板温度约为 600ºC
技术参数
| CN-CVD-400 | ||
| 最大基板尺寸 | 直径 4 英寸 | |
| 占地尺寸 | 3.5m × 1.7m × 2.1m (不含维护空间) | |
| 交流电源 | 200V ±10% | |
| 排气接管 | NW25KF | |
| 稀释气体 | Nitrogen >10 SLM | |
| 工艺气体接口 | VCR 6.35mm | |
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