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CME-200E/400 クラスタ型PE-CVDシステム
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CME-200E/400 クラスタ型PE-CVDシステム
CME-200E/400は、絶縁膜およびバリア膜用途のSi膜形成に対応したPE-CVD量産システムにおいて、最適なモデルです。
特長
高周波電源(27.12MHz)による高密度プラズマプロセス。
SiH₄を原料ガスとして使用し、SiO₂、SiNₓ、SiON、a-Siなどの高品質膜形成に対応。さらにTEOSによるSiO₂膜成膜にも対応。
NF₃+Arプラズマによるチャンバークリーニング機能を搭載。
低温での有機EL成膜に対応したヒーター機構を搭載。
基板サイズ:CME-200E 最大200×200mm、CME-400 最大300×400mmに対応。
用途
電子デバイス
LED、LD、高速デバイス
有機EL(OLED)
太陽電池
MEMS(微小電気機械システム)