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CN-CVD-400 カーボンナノチューブ開発用試験システム
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CN-CVD-400 カーボンナノチューブ開発用試験システム
ULVACは世界で初めて、基板上に垂直かつ選択的にカーボンナノチューブを成長させる技術を開発しました。マイクロ波プラズマCVD技術を用いることで、高純度カーボンナノチューブの量産化に成功しました。電池や水素貯蔵をはじめとする幅広い分野において、大幅な性能向上が期待されています。
特長
基板上にカーボンナノチューブを垂直成長させることが可能。
ガラス基板上の特定の金属領域のみに、カーボンナノチューブを直接かつ選択的に成長させることが可能。
成長時の基板温度:約600℃。
仕様
CN-CVD-400
Maximum substrate size
4 inches in diameter
Footprint
3.5m × 1.7m × 2.1m (not including maintenance space)
AC power supply
200V ±10%
Duct tie-in
NW25KF
Attenuating gas
Nitrogen >10 SLM
Process gas tie-in
VCR 6.35mm