メインコンテンツにスキップ

ULVAC Vietnam Representative Office

自然酸化膜除去用バッチ式装置 RISE™-300

RISETM-300 ETCHING
先端半導体の微細かつ深いコンタクト形状における自然酸化膜を除去する、バッチ式化学ドライクリーニング装置です。

特長

  • ダメージフリー(リモートプラズマおよび低温プロセス)
  • 高スループットおよび低CoO(Cost of Ownership)を実現
  • 50枚ウェーハのバッチ処理に対応
  • 高いエッチング均一性(1バッチあたり5%以下)
  • 容易なメンテナンス性
  • クラスタ型装置と比較して小さい設置面積
  • 自己整合コンタクト抵抗は、従来のウェットプロセスと比較して50%以下を実現
  • 最小クラスのフットプリント

用途

  • 自己整合コンタクト(SAC)形成前洗浄
  • キャパシタ形成前洗浄
  • エピタキシャル成長前洗浄

仕様

ModelRISETM-300
Plasma SourceMicrowave Power Supply
ConfigurationEFEM + LL + PM
Wafer Size300mm diameter
Wafer StageCeramic Board (50 wafers/batch)
Pumping SystemEtching Module:Mechanical booster pump +DRP
Control SystemFAPC+TFT Touch Panel
Gas Supply3 lines
ApplicationPretreatment for SAC, Capacitor, Epitaxial growth