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自然酸化膜除去用バッチ式装置 RISE™-300
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自然酸化膜除去用バッチ式装置 RISE™-300
先端半導体の微細かつ深いコンタクト形状における自然酸化膜を除去する、バッチ式化学ドライクリーニング装置です。
特長
ダメージフリー(リモートプラズマおよび低温プロセス)
高スループットおよび低CoO(Cost of Ownership)を実現
50枚ウェーハのバッチ処理に対応
高いエッチング均一性(1バッチあたり5%以下)
容易なメンテナンス性
クラスタ型装置と比較して小さい設置面積
自己整合コンタクト抵抗は、従来のウェットプロセスと比較して50%以下を実現
最小クラスのフットプリント
用途
自己整合コンタクト(SAC)形成前洗浄
キャパシタ形成前洗浄
エピタキシャル成長前洗浄
仕様
Model
RISE
TM
-300
Plasma Source
Microwave Power Supply
Configuration
EFEM + LL + PM
Wafer Size
300mm diameter
Wafer Stage
Ceramic Board (50 wafers/batch)
Pumping System
Etching Module:Mechanical booster pump +DRP
Control System
FAPC+TFT Touch Panel
Gas Supply
3 lines
Application
Pretreatment for SAC, Capacitor, Epitaxial growth