ULVAC Vietnam Representative Office
不揮発性メモリ材料エッチング装置 ULHITETM NE-7800H
ULHITETM NE-7800Hは、FeRAM、MRAM、ReRAM、CBRAM、PCRAMなどに使用される難エッチング材料であるNVM（不揮発性メモリ）材料、誘電体、貴金属、磁性層に対応した低圧・高密度プラズマクラスタ型エッチングシステムです。
特長
- 高温対応ステージ電極（最大450℃）
- RF入力ウィンドウへの誘電体膜堆積を低減する機構を搭載
- 高いエッチングレート
- Pt／Ir／磁性膜エッチングにおける優れたプロセス安定性
- 高密度プラズマ源 ISM™（Inductive Super Magnetron）を搭載
用途
- FeRAM, MRAM, ReRAM, CBRAM, PcRAM, etc.
仕様
| Item | Specification |
| System configuration | Cassette chamber/auto-loader |
| Transfer chamber | |
| Etching chamber | |
| Preheating chamber (option) | |
| Ashing chamber (option) | |
| Supported substrate sizes | 6/8 inches |
| Film types | Ferroelectric/high-k materials, magnetic materials, electrode materials, other |
| Uniformity within substrate surface | ±5% max. |
| Plasma source | ISM (ICP with magnetic field) |
| Substarate electrode temperature | Up to 400ºC±5ºC |
| Anti-deposition measures | Faraday shield mechanism, Top plate heating mechanism, Deposition shield heating mechanism, etc |
| Process recipe editing | Multi-step type |
